第1621章 现在和未来，都是我们的
或许是为了给这番论述一个直观的注脚，张汝宁走到测试平台旁，小心翼翼地从特制载物架上取下一片晶圆，交到栾文杰手中。
经过特殊处理的矽片表面光滑如镜，肉眼看去并无特殊之处。
但旁边的显示屏随之亮起，清晰地呈现出一个由无数细微线条构成的丶边缘锐利无比的字母。
「F」。
「受限于这里的条件，我们没有完整的晶圆台和光刻胶处理线，无法制造出包含复杂电路的完整晶片。」张汝宁指着屏幕解释道，「但是，您看到的这个字母『F』，其每一笔划的线宽，都是严格按照30nm的特徵尺寸设计并光刻出来的。」
他伸手轻轻点在屏幕上那个清晰锐利的「F」上，加重语气：
「30nm，已经超过了TSMC当前7nm工艺所能达到的实际精度。」
栾文杰双手捧着那片小小的晶圆，如同捧着一块稀世珍宝。
尽管根本不可能分辨出30nm的细微线条，但他依旧看得无比专注——
这手掌上的方寸之间，蕴含着足以撼动全球半导体丶乃至全球科技格局的力量。
沉默，持续了足有一分钟。
终于，栾文杰长长地丶极其缓慢地吁出一口气，动作轻柔地将晶圆交还给张汝宁。
似乎还带着些许不舍。
「这块晶圆，我们会做专门保存。」常浩南看出了对方的心思，出言道，「这是我们在半导体生产领域反超的起点，以后可以放进工建委的博物馆里。」
说起这个，他突然想起了那块至今还放在地下仓库里面的B2碎片。
「算了。」栾文杰低声感叹，声音透过面罩显得有些沉闷，「这东西就算能展出，我们怕是也抢不过国博……」
一个玩笑，让现场的气氛轻松了不少。
但很快，他又话锋一转。
「我之前去华芯国际调研的时候，听他们的技术专家提到过。」栾文杰提出了一个更长远的问题，「在当前矽基CMOS工艺的物理框架下，制程的极限大概在5nm或者3nm附近，如果按照刚才计算的107.22nm等效波长来推算……」
「是否意味着，未来我们这台ArF-1800，也有可能通过技术优化，用于生产下一代，甚至下两代的产品？这关系到我们战略窗口期的长短！」
这个问题，张汝宁已经等待了很久。
「跟刚才那张表上的情况一样，业界宣传的『5nm』丶『3nm』这些节点名称，仍然是制程叠代的代称，跟实际的最小物理特徵尺寸并非严格的一一对应关系。」
他解释道：
「所谓『5nm』节点实际对应的特徵尺寸，业界预估会在25nm左右，至于『3nm』，则可能对应到15-18nm区间。」
张汝宁隔着面罩整理了一下护目镜，继续深入技术本质：
「对于25nm的特徵尺寸，ArF-1800仍然可以通过双重曝光技术实现，就是良品率会比单次曝光生产30nm级别的产品时有所下降，工艺整合的复杂度也会提升，不过技术路径是确定存在的。」
尽管隔着面罩，但众人还是能感觉到，栾文杰原本皱着的眉头舒展开来。
而张汝宁语气却变得慎重起来：
「至于20nm以下级别的特徵尺寸，将是另一个维度的挑战……实际上，随着晶片制程逼近矽材料的物理极限，量子隧穿效应将变得无法忽视，电晶体将难以有效关断，漏电流剧增，同时微观层面的不确定性会急剧放大，导致器件性能的波动性大幅增加。」
「一般认为这个临界尺寸会在10nm左右，但考虑到衍射极限的存在，以及任何工业产品都不可能做到真正意义上的完美无缺，就算是使用EUV光刻机，要想稳定量产特徵尺寸在20nm以下的产品，也会非常非常困难，而且良率会不可控制的降低。」
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